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硫化スズで原子1層分の膜〜日経サイエンス2020年9月号より

東大など,強誘電体メモリー材料に   東京大学と関西学院大学,台湾の国立交通大学などの国際共同研究グループはこのほど,硫化スズを原子1層分の薄膜に加工することに成功し,電圧をかけなくても電荷の偏り(分極)を維持 … 続きを読む

カテゴリ 2020年9月号, News Scan